儀器主要功能用途及參數(shù) 一、半導(dǎo)體參數(shù)分析儀 1. 技術(shù)指標(biāo)系統(tǒng)具備不少于3個(gè)高精度源測(cè)量單元(SMU)單元 及1個(gè)預(yù)留接口; 2. SMU 可進(jìn)行快速 I-V-T 采樣,采樣率可達(dá) 1.8M,存儲(chǔ)量可達(dá)≥10 萬(wàn)個(gè)點(diǎn); 3. SMU 的最大電壓源≥200 V,最小電壓測(cè)量分辨率≤0.2uV,電壓測(cè)量精度≤0.016%+30mV; 4. 最大直流功率≥20W,最大脈沖功率≥400W,脈沖模式下的最短脈沖 5. 半導(dǎo)體參數(shù)分析儀主機(jī)含嵌入式 PC:操作系統(tǒng)至少要 Windows 10 或者以上,圖形化全套測(cè)試軟件,至少要有一個(gè)接口可以外接顯示器; 6. 最大直流功率≥20 W,最大脈沖功率≥400 W,脈沖模式下的最短脈沖寬度≤50μs; 二、探針平臺(tái)(包含顯微鏡) 1. 滿(mǎn)足 I-V/C-V,PIV 測(cè)試,光電測(cè)試等,最大可用于 4 英寸以?xún)?nèi)樣品測(cè)試,同軸絲杠傳動(dòng)結(jié)構(gòu),線(xiàn)性移動(dòng); 2. 水平旋轉(zhuǎn):可360 度旋轉(zhuǎn);可微調(diào) 15 度,精度≤ 0.1 度,帶角度鎖死裝置; 3. X-Y 移動(dòng)行程:≥4 英寸*4 英寸;X-Y移動(dòng)精度 ≤10 微米; 4. 樣品固定:真空吸附; 5. 背電極測(cè)試:樣品臺(tái)電學(xué)獨(dú)立懸空,直徑約為4 mm 插孔可接背電極; 6. 光學(xué)系統(tǒng): 單筒顯微鏡 / 體式顯微鏡 放大倍數(shù)≤16X~≥100X; 7. 移動(dòng)行程:水平方向繞立柱 360 度旋轉(zhuǎn),Z 軸 50.8 mm。 三、探針座 1. 尺寸: ≤115 mm 長(zhǎng)*100 mm 寬*112 mm 高; 2. 磁力吸附:帶磁力開(kāi)關(guān); 3. X-Y-Z 方向的移動(dòng)行程分別為 ≥12 mm; 4. 瑞士制造精密牙具 移動(dòng)精度 ≤0.7 微米。 |