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化學(xué)吸附-質(zhì)譜聯(lián)用儀

發(fā)布日期:2025-10-22 15:34 閱讀次數(shù):

儀器名稱(chēng)

化學(xué)吸附-質(zhì)譜聯(lián)用

放置地點(diǎn)

繼續(xù)教育學(xué)院樓109

負(fù)責(zé)人

白書(shū)立 

儀器生產(chǎn)廠(chǎng)家及型號(hào)

Micromeritics/AutoCh AutoChem II 2920、Hiden / QGA

儀器研究方向

多相催化、氣體吸附

 

儀器主要功能用途及參數(shù)

化學(xué)吸附-質(zhì)譜聯(lián)用系統(tǒng)儀器主要功能

核心功能:通過(guò)化學(xué)吸附儀的TCD檢測(cè)器獲得催化性能與其微觀(guān)表面性質(zhì)的信號(hào)峰,同時(shí)通過(guò)質(zhì)譜儀實(shí)時(shí)、多通道氣體產(chǎn)物監(jiān)測(cè),精確鑒定在升溫過(guò)程中逸出的氣體產(chǎn)物是何種分子或碎片,為催化機(jī)理研究提供有利依據(jù)。可以進(jìn)行TPD(程序升溫脫附)、TPR(程序升溫還原)TPO(程序升溫氧化)、TPRS脈沖化學(xué)吸附等的分析。

主要用途:主要用于多相催化、吸附等領(lǐng)域。

核心參數(shù):

1. Micromeritics AutoChem:

1加熱電熱爐最高溫度1200度,程序升溫溫度控制范圍為環(huán)境溫度~1100℃。

2升溫速率:在室溫-500℃范圍,0~70℃/min; 在500℃~1100℃范圍0~30℃/min,冷卻速率:快速冷卻,1000度降溫至100度時(shí)間不超過(guò)1小時(shí)。 3在線(xiàn)質(zhì)譜:質(zhì)量數(shù)范圍1-200amu;離子源燈絲:銥燈絲。

2. Hiden QGA:

質(zhì)量范圍:通常1-300 amu,覆蓋從H?到大部分有機(jī)分子的質(zhì)量。

檢測(cè)限:可達(dá)ppm甚至ppb級(jí)別,靈敏度極高。

響應(yīng)時(shí)間:<1秒(與毛細(xì)管入口線(xiàn)和設(shè)置有關(guān))。

離子源:電子轟擊離子源(EI)。

檢測(cè)器:法拉第杯和電子倍增器(SEM),用于不同濃度范圍的檢測(cè)。

測(cè)試內(nèi)容及領(lǐng)域

測(cè)試內(nèi)容:催化劑性質(zhì)、表界面化學(xué)反應(yīng)及微觀(guān)機(jī)理

常見(jiàn)測(cè)試類(lèi)型和項(xiàng)目:

1. 實(shí)時(shí)、多通道氣體產(chǎn)物監(jiān)測(cè):質(zhì)譜儀可以同時(shí)監(jiān)測(cè)多種不同質(zhì)荷比(m/z)的氣體信號(hào),如H2 (m/z=2),CO (m/z=28),CO2 (m/z=44),H2O (m/z=18)等。

2. 程序升溫分析:(1)程序升溫脫附(TPD):研究催化劑的酸性/堿性位點(diǎn)、金屬位點(diǎn)的強(qiáng)度和數(shù)量。例如,NH?-TPD(酸位點(diǎn));(2)程序升溫還原(TPR):研究金屬氧化物的還原性、還原溫度及還原過(guò)程;(3)程序升溫氧化(TPO):研究積碳催化劑的再生、金屬的氧化行為及碳物種的反應(yīng)性;(4)程序升溫表面反應(yīng)(TPSR):在反應(yīng)氣氣氛下升溫,研究特定反應(yīng)的中間體和反應(yīng)路徑。

3. 脈沖化學(xué)吸附:精確測(cè)定活性金屬分散度、金屬表面積和活性位點(diǎn)濃度。

主要應(yīng)用領(lǐng)域:

1. 催化劑酸性/堿性表征

2. 催化劑還原行為研究

3. 積碳催化劑研究

4. 反應(yīng)機(jī)理研究

5. 物種追蹤

注意事項(xiàng)(儀器使用和樣品制備)

一、預(yù)約測(cè)試與使用

1. 培訓(xùn):操作者必須經(jīng)過(guò)系統(tǒng)性的正規(guī)培訓(xùn),并通過(guò)考核獲得獨(dú)立操作資格。未經(jīng)許可嚴(yán)禁操作儀器。

2. 提前預(yù)約:嚴(yán)格按照實(shí)驗(yàn)室管理系統(tǒng)提前預(yù)約,并遵守時(shí)間安排。完成測(cè)試后及時(shí)在系統(tǒng)中結(jié)束預(yù)約。溝通與準(zhǔn)備:預(yù)約時(shí)需明確告知樣品組成、樣品顆粒大小、制備溫度、穩(wěn)定性等信息,以便管理員確認(rèn)方法兼容性。

3. 開(kāi)機(jī)前檢查

氣源檢查:確認(rèn)所需的準(zhǔn)備氣(如高純He、H2/He或CO2/NH3/He)、載氣(如高純He、H2/He)和脈沖氣體(如Ar)壓力充足(通常>5 MPa)及濃度合適(如10 wt% H2/He)。確保所有氣體凈化器未過(guò)期。

4. 方法確認(rèn):嚴(yán)禁隨意修改他人或標(biāo)準(zhǔn)方法。上機(jī)前務(wù)必確認(rèn)所調(diào)用方法的參數(shù)(如升溫速率測(cè)試溫度、氣體預(yù)處理方式等)適用于當(dāng)前樣品。最好使用自己創(chuàng)建并經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的方法。

5. 真空系統(tǒng):質(zhì)譜儀是高真空設(shè)備,開(kāi)機(jī)前必須確認(rèn)前級(jí)泵和分子渦輪泵運(yùn)行正常,達(dá)到工作真空度(通常優(yōu)于10?? mBar)。

6. 防止污染:避免測(cè)試高濃度、易冷凝的樣品(如大量硫化物、高沸點(diǎn)有機(jī)物),這些物質(zhì)會(huì)污染質(zhì)譜離子源和四極桿;在TPO測(cè)試高積碳樣品后,務(wù)必確保系統(tǒng)充分吹掃,防止殘留CO?影響后續(xù)低濃度檢測(cè)。

7. 信號(hào)飽和:在設(shè)置質(zhì)譜方法時(shí),要預(yù)估氣體濃度,避免信號(hào)過(guò)強(qiáng)導(dǎo)致檢測(cè)器飽和(特別是電子倍增器)。

8. 校準(zhǔn)與標(biāo)定:質(zhì)譜校準(zhǔn):定期使用標(biāo)準(zhǔn)氣體(如殘余氣體分析儀標(biāo)準(zhǔn)品)對(duì)質(zhì)譜的質(zhì)量數(shù)和靈敏度進(jìn)行校準(zhǔn);延遲時(shí)間:由于從反應(yīng)管到質(zhì)譜檢測(cè)器有毛細(xì)管傳輸線(xiàn),TCD信號(hào)和MS信號(hào)存在時(shí)間差,在數(shù)據(jù)關(guān)聯(lián)分析時(shí)必須進(jìn)行校準(zhǔn)。

9. 氣體干擾:注意不同氣體的碎片離子可能重疊,例如CO (m/z=28) N? (m/z=28) 會(huì)相互干擾,需通過(guò)其他碎片峰(如COm/z=12, 16)或使用高純氦氣作為載氣來(lái)區(qū)分。

10. 裝樣規(guī)范將樣品管取下裝樣時(shí),需帶紗布手套操作以防燙傷。

11. 質(zhì)譜儀開(kāi)機(jī)后泵不用關(guān)(可常年運(yùn)行),頻繁開(kāi)關(guān)會(huì)加速其不穩(wěn),停電前務(wù)必提前關(guān)機(jī),不要突然斷電,防止燈絲被燒壞。

12. 儀器檢漏:不要輕易移動(dòng)儀器,重裝毛細(xì)管或分子漏進(jìn)行檢漏時(shí),使用He氣吹掃接口,查看He氣壓力信號(hào)進(jìn)行判斷。

13. 真空度異常:若儀器真空度超過(guò)10-7 bar,儀器報(bào)錯(cuò),說(shuō)明儀器堵塞了;如儀器真空度長(zhǎng)時(shí)間到不了10-6 bar,說(shuō)明儀器漏氣,應(yīng)立即暫停運(yùn)行并查找原因

14. 實(shí)時(shí)監(jiān)控:運(yùn)行實(shí)驗(yàn)時(shí),密切監(jiān)控系統(tǒng)真空度、基線(xiàn)信號(hào)、泄漏檢查狀態(tài)等關(guān)鍵參數(shù)。發(fā)現(xiàn)異常(如壓力突變、基線(xiàn)過(guò)高、真空度變差)應(yīng)立即暫停運(yùn)行并查找原因。

15. 數(shù)據(jù)與衛(wèi)生:及時(shí)保存、備份和處理數(shù)據(jù)。清理實(shí)驗(yàn)臺(tái)面,取走自己的樣品和廢液,保持儀器周?chē)h(huán)境整潔。

二、 樣品制備及測(cè)試注意事項(xiàng)

1. 此測(cè)試已使用的樣品無(wú)法回收,若需回收,只能回收未使用的樣品;

2. 一般粉末或者顆粒狀樣品(粉末40-80目即可,不要太細(xì)),樣品質(zhì)量100-200mg;對(duì)于密度比較小的樣品,盡量制成顆粒,否則容易導(dǎo)致樣品在管內(nèi)堆積嚴(yán)重,氣流不穩(wěn),造成信號(hào)波動(dòng)。

3. 塊狀、薄膜樣品氣體分子一般不宜擴(kuò)散到樣品里面;

4. 樣品需要充分干燥,同時(shí)提供樣品具體成分,樣品在整個(gè)過(guò)程必須穩(wěn)定,在測(cè)試過(guò)程中不與坩堝反應(yīng),在測(cè)試溫度范圍內(nèi)不發(fā)生分解,樣品本身升溫過(guò)程中不能分解或產(chǎn)生其他氣體;若沒(méi)有測(cè)試過(guò)熱重?cái)?shù)據(jù),可在送樣前自行在測(cè)試最高溫度下焙燒處理,保證樣品穩(wěn)定;

5. C材料、C3N4 MOF等材料或制備溫度低于測(cè)試溫度,需要提供TG; 酸根,含S、 F、 Cl 5%以下可以測(cè),磺酸基團(tuán)不行; 堿性較強(qiáng)的材料,K2O、Na2CO3 NaOH等,會(huì)腐蝕石英管反應(yīng)器,此類(lèi)材料無(wú)法測(cè)試;有機(jī)物/有機(jī)質(zhì)樣品在惰性氣氛下升溫時(shí)易分解成黏糊糊的油狀物,一般不接受此類(lèi)樣品;

6. 測(cè)試溫度必須低于樣品制備過(guò)程中處理溫度;常規(guī)測(cè)試起始溫度約50℃,數(shù)據(jù)采集溫度低于50℃請(qǐng)聯(lián)系我們;

7. 在TPD測(cè)試時(shí),吸附氣體的濃度可不做要求,只要吸附飽和即可。

8壓力為零:如果準(zhǔn)備氣、載氣和脈沖氣體為零、出現(xiàn)報(bào)警提醒時(shí),務(wù)必檢查氣體鋼瓶是否打開(kāi)、管路是否漏氣,避免檢測(cè)器在無(wú)氣體吹掃下進(jìn)行。

主要配件及拓展功能(選填)

 

儀器操作指引:(選填)(操作指南文件或操作視頻二維碼)

1步:開(kāi)機(jī)前檢查

1)氣源檢查: 確認(rèn)所需準(zhǔn)備氣、載氣或脈沖氣體(He, Ar, H?, O?)氣源充足,壓力正常,凈化器有效。

2)消耗品檢查: 檢查進(jìn)樣墊、襯管、O型圈是否完好,如需更換,在儀器未加熱前完成。

3)工作站與硬件: 確認(rèn)電腦、儀器主機(jī)、化學(xué)吸附儀-電腦網(wǎng)口以及化學(xué)吸附-質(zhì)譜聯(lián)用信號(hào)線(xiàn)連接正常。

2步:開(kāi)啟硬件與軟件

打開(kāi)氣體:打開(kāi)氣瓶主閥和減壓閥。

開(kāi)啟硬件:開(kāi)啟AutoChemQGA電源,啟動(dòng)控制軟件。

開(kāi)啟機(jī)械泵,待真空度達(dá)標(biāo)后啟動(dòng)分子渦輪泵,等待QGA達(dá)到工作真空。

3步:樣品裝載

從反應(yīng)器中小心取出樣品管。

稱(chēng)重并記錄空管重量(含石英棉)。

裝入適量樣品,再次稱(chēng)重,記錄樣品凈重。

將樣品管重新安裝回爐體,連接好氣路。

4步:系統(tǒng)檢漏與吹掃

用惰性氣體(He/Ar)以一定流速吹掃系統(tǒng),同時(shí)用QGA監(jiān)測(cè)m/z=18 (H?O), 28 (N?/CO), 32 (O?) 等,確認(rèn)系統(tǒng)無(wú)泄漏且本底良好。

5步:方法設(shè)置與運(yùn)行

AutoChem軟件中:編輯溫度程序,包括預(yù)處理、吸附、吹掃和程序升溫階段,設(shè)置TCD參數(shù)和氣路切換。

NH3-TPD為例,操作流程為:Prep:NH3/He

Unit→import

File→New file→save file→edit

Experiment→insert→TPD

Prep: Gas: He 50 ml/min   Carrier: He 20 ml/min

Tem Ramp: 200 ℃ 60 min (200℃吹掃60 min)

Tem Ramp: 回到室溫

Change gas flow: Prep: NH3/He 50 ml/min   Carrier: He 20 ml/min

Wait 120 min

Change gas flow: Prep gas: He 50 ml/min   Carrier/Reference: 50 ml/min

Wait 10 min

Wait 30 min

Wait :等到基線(xiàn)穩(wěn)定

Set outputs: ? DO1

Start recording

Tem Ramp: 800 ℃

Stop recording

Set outputs: □ DO1

Termination

Hiden MASsoft軟件中:創(chuàng)建質(zhì)譜方法,選擇需要監(jiān)測(cè)的m/z列表,設(shè)置掃描速率、檢測(cè)器模式(法拉第杯/SEM)和電壓。

同步啟動(dòng):確保兩個(gè)軟件的時(shí)間大致同步,然后啟動(dòng)AutoChem的運(yùn)行程序和QGA的數(shù)據(jù)采集程序。

6步:數(shù)據(jù)分析

分別從AutoChemMASsoft軟件中導(dǎo)出TCD數(shù)據(jù)和質(zhì)譜數(shù)據(jù)。

使用OriginIgor等數(shù)據(jù)處理軟件,根據(jù)延遲時(shí)間對(duì)TCDMS曲線(xiàn)進(jìn)行時(shí)間對(duì)齊。

綜合分析TCD的總體信號(hào)和MS的特定物種信號(hào),進(jìn)行定性和定量解讀。

7步:關(guān)機(jī)

實(shí)驗(yàn)結(jié)束后,將系統(tǒng)溫度降至室溫,在載氣下持續(xù)吹掃。

關(guān)閉QMA的檢測(cè)器高壓和燈絲,待渦輪泵溫度降至安全范圍后關(guān)閉渦輪泵,最后關(guān)機(jī)械泵和前級(jí)泵。

關(guān)閉AutoChem加熱爐和所有氣體。

 

 

 

關(guān)閉